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Estado : Publicado (En proceso de revisión)

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Resumen

ISO 17560:2014 specifies a secondary-ion mass spectrometric method using magnetic-sector or quadrupole mass spectrometers for depth profiling of boron in silicon, and using stylus profilometry or optical interferometry for depth scale calibration. This method is applicable to single-crystal, poly-crystal, or amorphous silicon specimens with boron atomic concentrations between 1 × 1016 atoms/cm3 and 1 × 1020 atoms/cm3, and to crater depths of 50 nm or deeper.

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Informaciones generales

  • Estado
     : Publicado
    Fecha de publicación
     : 2014-09
    Etapa
    : Norma Internacional confirmada [90.93]
  • Edición
     : 2
    Número de páginas
     : 10
  • Comité Técnico :
    ISO/TC 201/SC 6
    ICS :
    71.040.40 
  • RSS actualizaciones

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7
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9
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