недоступно на русском языке

Текущий статус : Опубликовано (Hа стадии пересмотра)

Последний раз этот стандарт был пересмотрен в  2021. Поэтому данная версия остается актуальной
Формат Язык
PDF + ePub
Бумажный
  • CHF129
Пересчитать швейцарские франки (CHF) в ваша валюта

Тезис

ISO 14706:2014 specifies a TXRF method for the measurement of the atomic surface density of elemental contamination on chemomechanically polished or epitaxial silicon wafer surfaces. The method is applicable to the following: elements of atomic number from 16 (S) to 92 (U); contamination elements with atomic surface densities from 1 × 1010 atoms/cm2 to 1 × 1014 atoms/cm2; contamination elements with atomic surface densities from 5 × 108 atoms/cm2 to 5 × 1012 atoms/cm2 using a VPD (vapour-phase decomposition) specimen preparation method.

Standard first page

Preview 

Вы можете ознакомиться с данным стандартом в нашей онлайн-библиотеке (OBP)

Общая информация

  • Текущий статус
     : Опубликовано
    Дата публикации
     : 2014-08
    Этап
    : Подтверждение действия между-народного стандарта [90.93]
  • Версия
     : 2
  • Технический комитет :
    ISO/TC 201
    ICS :
    71.040.40 
  • RSS обновления

Жизненный цикл

Цели в области устойчивого развития

Данный стандарт разработан для достижения следующих Цели в области устойчивого развития

7
Недорогостоящая и чистая энергия
9
Индустриализация, инновации и инфраструктура

Появились вопросы?

Ознакомьтесь с FAQ

Работа с клиентами
+41 22 749 08 88

Часы работы:
Понедельник – пятница: 09:00-12:00, 14:00-17:00 (UTC+1)

  2. Интернет-магазин
  3. Каталог стандартов
  4. ТК
  5. ISO/TC 201
  6. ISO 14706:2014