Numéro de référence
ISO 17560:2002
© ISO 2025
ISO 17560:2002
Analyse chimique des surfaces — Spectrométrie de masse des ions secondaires — Dosage du bore dans le silicium par profilage d'épaisseur
Edition 1
2002-07
Annulée
Annulée (Edition 1, 2002)

Résumé

L'ISO 17560:2002 spécifie une méthode de spectrométrie de masse des ions secondaires utilisant un spectromètre de masse à secteur magnétique ou quadripolaire pour le profilage en profondeur du bore dans le silicium et un profilomètre de surface à stylet ou un interféromètre optique pour l'étalonnage de l'échelle de profondeur. Cette méthode est applicable à des échantillons de silicium monocristallin, polycristallin ou amorphe dont les concentrations atomiques en bore sont comprises entre 1×1016 atomes/cm3 et 1×1020 atomes/cm3, et à des profondeurs de cratères de 50 nm ou plus.

Informations générales

  • État actuel
     : Annulée
    Date de publication
     : 2002-07
    Stade
    : Annulation de la Norme internationale [95.99]
  • Edition
     : 1
    Nombre de pages
     : 10
  • Comité technique :
    ISO/TC 201/SC 6
    ICS :
    71.040.40 
  • RSS mises à jour

Cycle de vie

Vous avez une question?

Consulter notre Aide et assistance

  2. Store
  3. Store
  4. TC
  5. ISO/TC 201/SC 6
  6. ISO 17560:2002